最近这段时间总有小伙伴问小编FF分析是什么，小编为此在网上搜寻了一些有关于FF分析的知识送给大家，希望能解答各位小伙伴的疑惑。
填充因子:(Fill factor)表示最大输出功率Im*Vm与极限输出功率IscVoc之比，通常以FF表示，即：FF= ImVm /IscVoc 填充因子是表征太阳电池优劣的重要参数之一。
太阳能电池作为一种半导体器件，其I-V曲线必然复合半导体I-V曲线特征。
(资料图)
以最大功率点在I-V曲线上的形成的矩形面积除以Voc与Isc形成的面积作为FF，即填充因子。作为半导体器件，其在Isc附近的曲线符合电流源特性，在Voc附近的曲线符合电压源特性，因此以Isc附近曲线斜率倒数作为并联电阻Rsh，以Voc附近曲线斜率倒数作为串联电阻Rs。
从图中可见，Isc附近曲线斜率与Voc附近曲线斜率对FF影响极大，即FF大小受制于Rs与Rsh。
测试过程中亮场与暗场情况下正向与反向偏压的I-V曲线如下所示。
RserLf:在亮场正向偏压下，Uoc附近电压变化较小，利用线性回归计算得出。
RserDf:在暗场正向偏压下，选取I-V曲线中的某段曲线，利用线性回归计算得出，回归的区域可以利用软件设置。
RserLfDf:根据亮场与暗场的正向偏压曲线计算得出，因二极管效应在亮场与暗场下存在差异。
ReserIEC891:根据国际标准IEC891，利用2级或3级光源来计算，取值的差异取决于使用的光强等级。
Halm：ReserIEC891:此项为测试串阻。
Berger：计算值使用 DIN EN 60891标准，使用的光强分别为1000W与500W，计算公式为∆U/(Isc@1000-Isc@500W)
RshuntLf:在亮场正向偏压下，Isc附近电流变化较小，利用线性回归计算得出。
RshuntDr:利用暗场反向偏压的线性回归测试的并阻。
RshuntDf:利用暗场正向偏压下测量的并阻，不适合测量并联电阻低的电池。
Halm：RshuntDfDr:同时测量RshuntDr和RshuntDf，通常情况下将及时得出采用RshundDf，在并联较低的情况下，采用RshuntDr。
Berger：采用RshuntDr作为并联电阻
串联电阻构成
相关项
测试手段
影响比例
基体电阻Rbase
基体电阻率
外检电阻率测试仪MS203
/
表层电阻R口
扩散工艺
四探针测试仪
方阻升高5Ω/口，串阻增大约0.2mΩ
接触电阻Rcontact
扩散工艺、浆料、烧结工艺
correscan测试仪
/
栅线电阻Rfinger
浆料、印刷工艺、烧结工艺
无
栅线高度降低2μm，串阻增大约0.1mΩ
背接触电阻Rscon
浆料、烧结工艺
无
/
背铝层电阻RAl
浆料、烧结工艺
无
/
并联电阻构成
相关项
测试手段
基体缺陷复合
硅材料
PL、Suns-voc、EL
PN结漏电
污染、划伤、
Suns-voc、EL
边缘漏电
刻蚀、污染
EL
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